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Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Tipo de memoria Non-Volatile
Formato de Memoria FLASH
Tecnología FLASH - NAND (SLC)
Tamaño de la memoria 8Gb (1G x 8)
Interfaz de Memoria Parallel
Tiempo de Ciclo de Escritura - Palabra, Página 25ns
Tiempo de acceso 25ns
Voltaje de Suministro (V) 1.7V ~ 1.95V
Rango de Temperatura - Funcionamiento -40°C ~ 85°C
Estilo de montaje SMD
Paquete del Fabricante 63-VFBGA
Paquete del Dispositivo del Proveedor 63-TFBGA (9x11)
Cantidad de Paquete del Fabricante 210
Nivel MSL 3 (168 Hours)
Popularidad Low
Amenaza de Falsificación en el Mercado Abierto 33 pct.
Estado de Oferta y Demanda Limited
Número de pieza Win Source 813031-TH58NYG3S0HBAI4
Modelo 3D de Ultra Librarian Ultra Librarian TH58NYG3S0HBAI4 Modelo CAD

Descripción

The Toshiba Semiconductor and Storage TH58NYG3S0HBAI4 is a non-volatile 8Gb (1G x 8) FLASH-NAND (SLC) memory type.

  • Access Time: 25ns
  • Mounting: SMD
  • Package: 63-TFBGA (9x11)
  • Temperature Range: -40°C to 85°C
  • Memory Format: FLASH
  • Write Cycle Time: 25ns (word or page)
  • Memory Interface: Parallel
  • Manufacturing Origin: Japan
  • Supply and Demand Status: Limited
  • Manufacturer Pack Quantity: 210
  • MSL Level: 3 (168 hours)
  • Supply Voltage: 1.7V to 1.95V

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8+ $13.3534 $106.8272
12+ $12.9023 $154.8276
17+ $12.0000 $204.0000
22+ $11.5489 $254.0758
28+ $11.0978 $310.7384
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