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Categorías Discrete Semiconductor Products
Fabricante Fairchild/ON Semiconductor
Empaque Tube/Rail
Estado Not For New Designs
Voltaje Máximo de Ruptura Colector-Emisor VCEO 600V
Colector de Corriente Máximo 54A
Corriente de Colector Pulsada 96A
Voltaje de Saturación Colector-Emisor (Máx.) 2.7V @ 15V, 12A
Disipación de Potencia Máxima 167W
Energía Total de Conmutación (Ets) 55μJ (on), 50μJ (off)
Tipo de entrada Standard
Carga de puerta 78nC
Tiempo de Retardo de Encendido y Apagado 17ns/96ns
Condiciones de Prueba 390V, 12A, 10 Ohm, 15V
Tiempo de recuperación inversa (trr) 30ns
Rango de Temperatura - Funcionamiento -55°C to 150°C (TJ)
Montaje Through Hole
Caja / Paquete TO-220AB
Condición de almacenamiento Dry storage cabinet & Humidity protection package
Número de pieza Win Source 005236-HGTP12N60A4D
Materias Primas Based on silicon element (Si) ; Blue-grey metallic luster
Popularidad Medium
Amenaza de Falsificación en el Mercado Abierto 68 pct.
Estado de Oferta y Demanda Limited
Cantidad por Paquete 800
Modelo 3D de Ultra Librarian Ultra Librarian HGTP12N60A4D Modelo CAD

Descripción

The HGTP12N60A4D is a through-hole IGBT transistor manufactured by Fairchild/ON Semiconductor. It has a maximum collector-emitter breakdown voltage of 600V and a maximum current collector of 54A. The reverse recovery time is 30ns, and the gate charge is 78nC. The transistor is packaged in a TO-220AB case, and the maximum power dissipation is 167W. The total switching energy for the transistor is 55μJ (on) and 50μJ (off). The turn-on and turn-off delay time is 17ns/96ns. The transistor is not for new designs and has a limited supply and demand status. The package contains 800 pieces.

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Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio ext.
30+ $2.2278 $66.8340
63+ $2.0842 $131.3046
97+ $2.0123 $195.1931
139+ $1.8686 $259.7354
180+ $1.7967 $323.4060
225+ $1.7249 $388.1025
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