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Categorías Integrated Circuits
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage
Empaque Tray
Estado Active
Formato de Memoria EEPROM
Tecnología EEPROM - NAND
Tamaño de la memoria 4Gb (512M x 8)
Tiempo de acceso 25ns
Voltaje de Suministro - Operación 2.7 V to 3.6 V
Rango de Temperatura - Funcionamiento 0°C to 70°C (TA)
Montaje SMD (SMT)
Caja / Paquete 48-TSOP I
Condición de almacenamiento Dry storage cabinet & Humidity protection package
Número de pieza Win Source 212809-TH58BVG2S3HTA00
Materias Primas Based on silicon element (Si) ; Blue-grey metallic luster
Popularidad Medium
Amenaza de Falsificación en el Mercado Abierto 51 pct.
Estado de Oferta y Demanda Limited
Modelos ECAD Contact us to download
Hoja de Datos de Seguridad del Material (MSDS) Get Access
Modelo 3D de Ultra Librarian Ultra Librarian TH58BVG2S3HTA00 Modelo CAD

Descripción

The Toshiba Semiconductor and Storage TH58BVG2S3HTA00 is a 4Gb (512M x 8) EEPROM-NAND memory IC that has a 25ns access time.

  • Features: High speed data transfer and low power consumption.
  • Package: 48-TSOP I package
  • Supply Voltage: 2.7 V to 3.6 V
  • Supply and Demand Status: Limited

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Cantidad Precio unitario Precio ext.
10+ $7.0165 $70.1650
23+ $5.7566 $132.4018
35+ $5.5767 $195.1845
48+ $5.3969 $259.0512
62+ $5.2171 $323.4602
83+ $4.6777 $388.2491
!
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