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Categoría Discrete Semiconductor Products - Transistors - FETs, MOSFETs - FET, MOSFET Arrays
Fabricante Sanken
Encapsulado Bulk
Estado del Producto Obsolete
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Configuración 4 N-Channel
Característica de FET Standard
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 57V
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C 3A (Ta)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs 250mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id 2.5V @ 250µA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 200pF @ 10V
Potencia - Máx. 4W (Ta), 20W (Tc)
Rango de Temperatura - Funcionamiento 150°C
Tipo de Montaje Through Hole
Paquete / Caja 10-SIP
Paquete del Dispositivo del Proveedor 10-SIP
Número de Producto Base STA509
Paquete estándar 440 pcs
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
Número de pieza Win Source 677855-STA509A
Amenaza de Falsificación en el Mercado Abierto 50pct.
Modelo 3D de Ultra Librarian Ultra Librarian STA509A Modelo CAD

Descripción

The STA509A is a N-Channel MOSFET transistor array designed for use in discrete semiconductor products. It features a standard FET configuration with a drain to source voltage (Vdss) of 57V and a continuous drain current (Id) of 3A @ 25°C.

  • Rds On (Max): 250mOhm @ 1A and 10V
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 57V
  • Continuous Drain Current (Id): 3A @ 25°C
  • Power Rating: 4W (Ta) and 20W (Tc)
  • Package: 10-SIP
  • Mounting: Through-hole
  • Manufacturer: Sanken
  • Status: Obsolete
  • Input Capacitance: 200pF @ 10V
  • Temperature Range: 150°C

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