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Encapsulado Cut Tape (CT)
Estado del Producto Obsolete
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Configuración 2 N-Channel (Dual)
Característica de FET Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C 11A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs 14.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id 2.35V @ 25µA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 15nC @ 10V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1165pF @ 10V
Potencia - Máx. 2.7W
Tipo de Montaje Surface Mount
Paquete / Caja 8-PowerVDFN
Paquete del Dispositivo del Proveedor 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
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