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Categoría Discrete Semiconductor Products - Transistors - Bipolar (BJT) - Single Bipolar Transistors
Fabricante NTE
Encapsulado Bag
Estado del Producto Active
Tipo de transistor NPN
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 16 A
Voltaje - Ruptura colector-emisor (Máx.) 150 V
Vce Saturación (Máx.) @ Ib, Ic 2.5V @ 3.2A, 16A
Corriente - Corte del colector (Máx.) 10mA
Ganancia de corriente CC (hFE) (Mín.) @ Ic, Vce 15 @ 8A, 2V
Potencia - Máx. 150 W
Rango de Temperatura - Funcionamiento -65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de Montaje Through Hole
Paquete / Caja TO-204AA, TO-3
Paquete del Dispositivo del Proveedor TO-3
Paquete estándar 1 pcs
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
Número de pieza Win Source 541399-2N6259
Amenaza de Falsificación en el Mercado Abierto 67pct.
Modelo 3D de Ultra Librarian Ultra Librarian 2N6259 Modelo CAD

Descripción

The 541399-2N6259 is a single NPN bipolar transistor from the Discrete Semiconductor Products category.

  • Designed for: General-purpose switching and amplification applications
  • Maximum Power Rating: 150W
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage: 150V
  • Maximum Collector Current: 16A
  • Vce Saturation: 2.5V @ a base current of 3.2A and collector current of 16A
  • Collector Cutoff Current: 10mA
  • DC Current Gain (hFE): 15 @ a collector current of 8A and a Vce of 2V
  • Mounting: Through hole
  • Package: TO-204AA, TO-3
  • Operating Temperature Range: -65°C to 200°C
  • Supplier: NTE
  • Market Status: Active

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