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Categoría Discrete Semiconductor Products>Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fabricante Nexperia USA Inc.
Encapsulado Tape & Reel
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C 290A (Ta)
Voltaje de Conducción (Rds On Máx., Rds On Mín.) 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs 1mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id 3.6V @ 1mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 122 nC @ 10 V
Vgs (Máx.) ±20V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 9433 pF @ 20 V
Característica de FET Schottky Diode (Body)
Disipación de potencia (Máx.) 333W (Ta)
Rango de Temperatura - Funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje SMD (SMT)
Paquete del Dispositivo del Proveedor LFPAK56; Power-SO8
Paquete / Caja SOT-1023, 4-LFPAK
Número de Producto Base PSMN1R0
Nivel MSL 1 (Unlimited)
Estado REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
Otros Nombres 934660722115,1727-8709-6,1727-8709-2,1727-8709-1
Paquete estándar 1,500
Número de pieza Win Source 1157356-PSMN1R0-40YSHX
Amenaza de Falsificación en el Mercado Abierto 56 pct.
Modelo 3D de Ultra Librarian Ultra Librarian PSMN1R0-40YSHX Modelo CAD

Descripción

Nexperia USA Inc. PSMN1R0-40YSHX MOSFETs are high-performance components that are used in a wide range of applications.

  • Model: 1157356-PSMN1R0-40YSHX
  • Mounting: Surface-mount device
  • Features: High power output and low on-resistance, Schottky diode
  • Gate Charge: 122 nC @ 10 V
  • Application: Ideal for use in power supplies, motor controllers, and other high-power applications.

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90+ $1.4637 $131.7330
140+ $1.4179 $198.5060
190+ $1.3721 $260.6990
245+ $1.3264 $324.9680
330+ $1.1892 $392.4360
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