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Categoría Discrete Semiconductor Products>Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fabricante Nexperia USA Inc.
Serie Automotive, AEC-Q101
Encapsulado Tape & Reel
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C 1.6A (Ta)
Voltaje de Conducción (Rds On Máx., Rds On Mín.) 4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs 218mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id 2.7V @ 250µA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 3.8 nC @ 10 V
Vgs (Máx.) ±20V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 110 pF @ 30 V
Disipación de potencia (Máx.) 640mW (Ta), 5.8W (Tc)
Rango de Temperatura - Funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje SMD (SMT)
Paquete del Dispositivo del Proveedor TO-236AB
Paquete / Caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de Producto Base PMV164
Nivel MSL 1 (Unlimited)
Estado REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
Otros Nombres 934661157215,1727-8650-6,1727-8650-2,1727-8650-1
Paquete estándar 3,000
Número de pieza Win Source 1116658-PMV164ENEAR
Amenaza de Falsificación en el Mercado Abierto 72 pct.
Modelo 3D de Ultra Librarian Ultra Librarian PMV164ENEAR Modelo CAD

Descripción

The PMV164ENEAR N-channel MOSFET transistor is a top choice for automotive applications.

  • Manufacturer: Nexperia USA Inc.
  • Package: TO-236AB
  • Maximum Power Dissipation: 640mW (Ta), 5.8W (Tc)
  • Maximum Gate Voltage: ±20V
  • Operating Temperature: -55°C to 175°C (TJ)

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Cantidad Precio unitario Precio ext.
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190+ $0.5929 $112.6510
295+ $0.5743 $169.4185
405+ $0.5559 $225.1395
525+ $0.5373 $282.0825
700+ $0.4817 $337.1900
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