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Tipo de memoria Volatile
Formato de Memoria DRAM
Tecnología SDRAM - Mobile LPDDR4X
Tamaño de la memoria 8Gbit
Organización de Memoria 512M x 16
Interfaz de Memoria Parallel
Frecuencia del Reloj 2.133 GHz
Tiempo de Ciclo de Escritura - Palabra, Página 18ns
Tiempo de acceso 3.5 ns
Voltaje - Suministro 1.06V ~ 1.17V
Temperatura de Funcionamiento -40°C ~ 105°C (TC)
Grado Automotive
Calificación AEC-Q100
Tipo de Montaje Surface Mount
Paquete / Caja 200-TFBGA
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