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Categoría Discrete Semiconductor Products>Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fabricante IXYS
Serie HiPerFET™, TrenchT2™
Encapsulado Tube
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C 180A (Tc)
Voltaje de Conducción (Rds On Máx., Rds On Mín.) 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs 6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id 4V @ 250µA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 185 nC @ 10 V
Vgs (Máx.) ±20V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 10500 pF @ 25 V
Disipación de potencia (Máx.) 480W (Tc)
Rango de Temperatura - Funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de Montaje Through Hole
Paquete del Dispositivo del Proveedor TO-220-3
Paquete / Caja TO-220-3
Número de Producto Base IXFP180
Nivel MSL 1 (Unlimited)
Estado REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
Paquete estándar 50
Número de pieza Win Source 1176319-IXFP180N10T2
Amenaza de Falsificación en el Mercado Abierto 50 pct.
Modelo 3D de Ultra Librarian Ultra Librarian IXFP180N10T2 Modelo CAD

Descripción

The IXYS HiPerFET™, TrenchT2™ 1176319-IXFP180N10T2 is a N-channel MOSFET transistor with a drain to source voltage of 100V and a continuous drain current of 180A @ 25°C.

  • Maximum Rds On: 6mOhm @ 50A and 10V
  • Gate Charge: 185nC @ 10V
  • Input Capacitance: 10500pF @ 25Vds
  • Maximum Vgs: ±20V
  • Operating Temperature Range: -55°C to 175°C
  • Package: TO-220-3
  • Power Dissipation: 480W @ Tc
  • Package Quantity: 50 units

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