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Categoría Discrete Semiconductor Products>Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fabricante IXYS
Serie HiPerFET™
Encapsulado Tube
Estado del Producto Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 900 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C 6A (Tc)
Voltaje de Conducción (Rds On Máx., Rds On Mín.) 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs 2Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id 4.5V @ 2.5mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 130 nC @ 10 V
Vgs (Máx.) ±20V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2600 pF @ 25 V
Disipación de potencia (Máx.) 300W (Tc)
Rango de Temperatura - Funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de Montaje Through Hole
Paquete del Dispositivo del Proveedor TO-247AD (IXFH)
Paquete / Caja TO-247-3
Nivel MSL Not Applicable
Estado REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
Otros Nombres IXFH6N90-NDR
Paquete estándar 30
Número de pieza Win Source 1180714-IXFH6N90
Amenaza de Falsificación en el Mercado Abierto 50 pct.
Modelo 3D de Ultra Librarian Ultra Librarian IXFH6N90 Modelo CAD

Descripción

The IXFH6N90 is an N-Channel MOSFET transistor designed for use in discrete semiconductor products. IXFH6N90 is a part of the HiPerFET™ series.

  • Drain to Source Voltage: 900V
  • Continuous Drain Current: 6A @ 25°C
  • Rds On (Max): 2Ohm @ 3A and 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25V
  • Temperature Range: -55°C to 150°C

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