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Categorías Discrete Semiconductor Products
Fabricante Vishay
Empaque Reel - TR
Estado Active
Polaridad P-Channel
Tecnología MOSFET
Voltaje de Ruptura Drenaje-Fuente 20V
Corriente de Drenaje Continua a 25°C 3A (Ta)
Voltaje de Conducción (Rds On Máx., Rds On Mín.) 4.5V, 10V
Voltaje de Umbral Puerta-Fuente 3V @ 250μA
Carga Máx. de Puerta 5.5nC @ 5V
Voltaje Máximo Puerta-Fuente ±20V
Disipación de potencia (Máx.) 1.14W (Ta)
Rds On Máximo a Id, Vgs 80 mOhm @ 4A, 10V
Rango de Temperatura - Funcionamiento -55°C to 150°C (TJ)
Montaje SMD (SMT)
Caja / Paquete 6-TSOP
Dimensión SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Condición de almacenamiento Dry storage cabinet & Humidity protection package
Número de pieza Win Source 1095845-SI3465DV-T1-GE3
Popularidad Medium
Amenaza de Falsificación en el Mercado Abierto 44 pct.
Estado de Oferta y Demanda Balance
Modelos ECAD Contact us to download
Hoja de Datos de Seguridad del Material (MSDS) Get Access
Modelo 3D de Ultra Librarian Ultra Librarian SI3465DV-T1-GE3 Modelo CAD

Descripción

The Vishay MOSFET is a P-channel component that is designed to operate in a temperature range of -55°C to 150°C.

  • Temperature Range: -55°C to 150°C
  • Drain-Source Breakdown Voltage: 20V
  • Continuous Drain Current: 3A @ 25°C
  • Maximum Rds On: 80 mOhm @ 4A, 10V
  • Gate-Source Threshold Voltage: 3V @ 250μA
  • Maximum Gate Charge: 5.5nC @ 5V
  • Maximum Gate-Source Voltage: ±20V
  • Package: 6-TSOP
  • Mounting: SMD (SMT)

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