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Categoría Discrete Semiconductor Products>Transistors - IGBTs - Single
Fabricante Infineon Technologies
Serie TrenchStop™
Encapsulado Tape & Reel
Estado del Producto Obsolete
Tipo de IGBT Trench Field Stop
Voltaje - Ruptura colector-emisor (Máx.) 600 V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 12 A
Corriente - Colector pulsada (Icm) 18 A
Vce(on) (Máx.) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 6A
Potencia - Máx. 100 W
Energía de conmutación 110µJ (on), 220µJ (off)
Tipo de entrada Standard
Carga de puerta 48 nC
Td (encendido/apagado) @ 25°C 12ns/127ns
Condición de prueba 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Tiempo de recuperación inversa (trr) 68 ns
Rango de Temperatura - Funcionamiento -40°C ~ 175°C (TJ)
Montaje SMD (SMT)
Paquete / Caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete del Dispositivo del Proveedor PG-TO252-3
Nivel MSL 1 (Unlimited)
Estado REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
Otros Nombres SP000729342,2156-IKD06N60RAATMA1,IKD06N60RAATMA1TR,IKD06N60RAATMA1CT,IKD06N60RAATMA1DKR,IFEINFIKD06N60RAATMA1
Paquete estándar 2,500
Número de pieza Win Source 972723-IKD06N60RAATMA1
Amenaza de Falsificación en el Mercado Abierto 50 pct.
Modelo 3D de Ultra Librarian Ultra Librarian IKD06N60RAATMA1 Modelo CAD

Descripción

The IKD06N60RAATMA1 is an IGBT transistor designed for use in various electronic applications.

  • Transistor Type: TrenchStop™
  • Power: 100W
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage: 600V
  • Maximum Collector Current: 12A
  • Gate Charge: 48nC
  • Reverse Recovery Time: 68ns
  • Switching Energy (On): 110µJ
  • Switching Energy (Off): 220µJ
  • Description: The IKD06N60RAATMA1 is ideal for use in various electronic applications that require a high power handling capacity.

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Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio ext.
50+ $1.3409 $67.0450
120+ $1.1003 $132.0360
185+ $1.0658 $197.1730
255+ $1.0315 $263.0325
325+ $0.9971 $324.0575
435+ $0.8939 $388.8465
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