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Categoría Discrete Semiconductor Products - Transistors - FETs, MOSFETs - FET, MOSFET Arrays
Fabricante Goford Semiconductor
Serie -
Encapsulado Tape & Reel
Estado del Producto Active
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Configuración 2 N-Channel (Dual)
Característica FET -
Voltaje Drenaje a Fuente (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje Continua (Id) @ 25°C 20A (Ta)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs 30mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id 2.5V @ 250µA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 25nC @ 10V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1220pF @ 30V
Potencia - Máx. 45W (Ta)
Rango de Temperatura - Funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de Montaje Surface Mount
Paquete / Caja 8-PowerTDFN
Paquete del Dispositivo del Proveedor 8-DFN (4.9x5.75)
Número de Producto Base G20N
Nivel MSL 3 (168 Hours)
Estado REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
Número de pieza Win Source 1376811-G20N06D52
Amenaza de Falsificación en el Mercado Abierto 53 pct.
Modelo 3D de Ultra Librarian Ultra Librarian G20N06D52 Modelo CAD

Descripción

The 1376811-G20N06D52 is a MOSFET transistor array from Goford Semiconductor.

  • Category: Discrete Semiconductor Products, FETs and MOSFETs
  • Package: 8-PowerTDFN
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Vdss: 60V
  • Id: 20A @ 25°C
  • Rds On: 30mOhm @ 20A and 10V
  • Vgs: ±20V
  • Qg: 25nC @ 10V
  • Power Dissipation: 45W
  • Operating Temperature: -55°C to 175°C
  • Product Status: Active
  • REACH: Unaffected

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275+ $0.3692 $101.5300
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