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Categoría Integrated Circuits (ICs)>Memory
Fabricante GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Encapsulado Tape & Reel
Tipo de memoria Non-Volatile
Formato de Memoria FLASH
Tecnología FLASH - NOR
Tamaño de la memoria 128Mb (16M x 8)
Interfaz de Memoria SPI - Quad I/O
Frecuencia del Reloj 120 MHz
Tiempo de Ciclo de Escritura - Palabra, Página 60µs, 2.4ms
Tiempo de acceso 7 ns
Voltaje - Suministro 1.65V ~ 2V
Rango de Temperatura - Funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Montaje SMD (SMT)
Paquete / Caja 8-WDFN Exposed Pad
Paquete del Dispositivo del Proveedor 8-WSON (5x6)
Número de Producto Base GD25LQ128
Nivel MSL 3 (168 Hours)
Estado REACH REACH Unaffected
ECCN 3A991B1A
HTSUS 8542.32.0071
Otros Nombres 1970-GD25LQ128EWIGRDKR,1970-GD25LQ128EWIGRTR,1970-GD25LQ128EWIGRCT
Paquete estándar 3,000
Número de pieza Win Source 968437-GD25LQ128EWIGR
Amenaza de Falsificación en el Mercado Abierto 71 pct.
Modelo 3D de Ultra Librarian Ultra Librarian GD25LQ128EWIGR Modelo CAD

Descripción

The GigaDevice Semiconductor GD25LQ128EWIGR is a non-volatile memory integrated circuit that has a capacity of 128Mb (16M x 8).

  • Capacity: 128Mb (16M x 8)
  • Operating Voltage: 1.65V to 2V
  • Clock Frequency: 120 MHz
  • Write Cycle Time (Word): 60μs
  • Write Cycle Time (Page): 2.4ms
  • Operating Temperature Range: -40°C to 85°C
  • Memory Interface: SPI - Quad I/O
  • Package: Tape and Reel
  • ECCN: 3A991B1A
  • REACH: Unaffected
  • Manufacturer: GigaDevice Semiconductor

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75+ $1.3837 $103.7775
115+ $1.3405 $154.1575
155+ $1.2972 $201.0660
200+ $1.2540 $250.8000
270+ $1.1243 $303.5610
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