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Categoría Discrete Semiconductor Products>Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fabricante EPC
Serie eGaN®
Encapsulado Tape & Reel
Tipo de FET N-Channel
Tecnología GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C 8.5A (Ta)
Voltaje de Conducción (Rds On Máx., Rds On Mín.) 5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs 42mOhm @ 7A, 5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id 2.5V @ 1.5mA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 2.9 nC @ 5 V
Vgs (Máx.) +6V, -4V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 288 pF @ 100 V
Rango de Temperatura - Funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Montaje SMD (SMT)
Paquete del Dispositivo del Proveedor Die
Paquete / Caja Die
Nivel MSL 1 (Unlimited)
Estado REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0040
Otros Nombres 917-1087-1,917-1087-2,917-1087-6
Paquete estándar 1,000
Número de pieza Win Source 1005945-EPC2019
Amenaza de Falsificación en el Mercado Abierto 63 pct.
Modelo 3D de Ultra Librarian Ultra Librarian EPC2019 Modelo CAD

Descripción

The EPC2019 is a GaNFET (Gallium Nitride) N-channel transistor from EPC.

  • Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
  • Continuous Drain Current (Id): 8.5A (Ta) @ 25°C
  • Maximum Rds On: 42mOhm @ 7A, 5V
  • Maximum Vgs(th): 2.5V @ 1.5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max): 2.9 nC @ 5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max): 288 pF @ 100Vds
  • Package: Die
  • Operating Temperature Range: -40°C to 150°C (TJ)
  • MSL Level: 1 (Unlimited)
  • HTSUS: 8541.29.0040
  • Also Known As: 917-1087-1, 917-1087-2, 917-1087-6
  • Maximum Drive Voltage: 5V

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Cantidad Precio unitario Precio ext.
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28+ $4.0120 $112.3360
44+ $3.8866 $171.0104
60+ $3.7613 $225.6780
78+ $3.6359 $283.6002
104+ $3.2598 $339.0192
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