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Categoría Discrete Semiconductor Products>Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fabricante IXYS
Serie Polar
Encapsulado Tube
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C 170A (Tc)
Voltaje de Conducción (Rds On Máx., Rds On Mín.) 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs 9mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id 5V @ 250µA
Carga de Puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 198 nC @ 10 V
Vgs (Máx.) ±20V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 6000 pF @ 25 V
Disipación de potencia (Máx.) 715W (Tc)
Rango de Temperatura - Funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje SMD (SMT)
Paquete del Dispositivo del Proveedor TO-268AA
Paquete / Caja TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Número de Producto Base IXTT170
Nivel MSL 1 (Unlimited)
Estado REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
Paquete estándar 30
Número de pieza Win Source 1188698-IXTT170N10P
Amenaza de Falsificación en el Mercado Abierto 79 pct.
Modelo 3D de Ultra Librarian Ultra Librarian IXTT170N10P Modelo CAD

Descripción

The 1188698-IXTT170N10P is a single N-channel MOSFET transistor with a drain to source voltage of 100V and a continuous drain current of 170A.

  • Channel Type: N-Channel
  • Drain to Source Voltage: 100V
  • Continuous Drain Current: 170A
  • On-Resistance: 9mOhm @ 500mA and 10V
  • Gate Charge: 198nC @ 10V
  • Input Capacitance: 6000pF @ 25V
  • Package: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Supplier Device Package: TO-268AA

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