Los módulos de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) son dispositivos semiconductores de alta potencia conocidos por su eficiencia en aplicaciones de conmutación. Combinando las ventajas de los MOSFET y los transistores bipolares, los módulos IGBT ofrecen una alta impedancia de entrada y una baja caída de voltaje en estado activo, lo que los hace ideales para aplicaciones de alta potencia como accionamientos de motores, inversores y sistemas de energía renovable.
Fabricantes como Mitsubishi Electric, Infineon y ON Semiconductor producen módulos IGBT de alta calidad que aseguran un rendimiento y una confiabilidad óptimos. Estos módulos simplifican el dise?o y mejoran la eficiencia de la electrónica de potencia.
Implementar módulos IGBT en sus sistemas ofrece un rendimiento robusto y eficiencia, crucial para las aplicaciones industriales modernas y de eficiencia energética.
| Seleccionar | Imágenes | N.º de pieza | Fabricante | Descripción | Hoja de datos | Disponibilidad | Precio | Cant. | RFQ | RoHS | Modelo ECAD |
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N.º de pieza del fab. N.º de pieza WS |
IGBT FS (Field Stop) 650V 75A 468W Through Hole TO-247
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70 piezas en stock |
MOQ: 17 |
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